PJQ1900_R1_00001 دیتاشیت

PJQ1900_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PJQ1900_R1_00001
حجم فایل 76.664 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت PJQ1900_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: PANJIT International PJQ1900_R1_00001
  • Power Dissipation (Pd): 900mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3Ω@1.2V,20mA
  • Package: DFN-3(0.6x1)
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه